| 出願番号 |
特願2013-034949 |
| 出願日 |
2013/2/25 |
| 出願人 |
国立大学法人電気通信大学 |
| 公開番号 |
特開2013-211535 |
| 公開日 |
2013/10/10 |
| 登録番号 |
特許第6115938号 |
| 特許権者 |
国立大学法人電気通信大学 |
| 発明の名称 |
量子ドットの形成方法および太陽電池 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
量子ドットの形成方法と、量子ドットを適用した太陽電池 |
| 目的 |
量子ドット間のコアレッセンスを抑制しつつ、従来以上に高密度な量子ドット配列を実現する量子ドットの形成方法と、これを利用した太陽電池を提供する。 |
| 効果 |
Ｓ−Ｋモード成長を利用して非常に高密度な量子ドットを効率的に形成することができる。量子ドットの面内高密度化による中間バンドの発生を利用して、エネルギー変換効率の高い太陽電池を実現することができる。 |
技術概要
 |
ＧａＡｓバッファ層上にＩｎＡｓ層を成長する際に、前記ＩｎＡｓ層の成長が３次元成長に移行する前の濡れ層の段階で、アンチモン（Ｓｂ）を供給圧力２．０×１０↑（-7）〜３．６×１０↑（-7）Torrで導入してＩｎＡｓＳｂ濡れ層を成長し、
前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層が０．５ＭＬ〜１．５ＭＬ成長したところで前記Ｓｂの導入を停止して引き続きＩｎＡｓ層を成長してＩｎＡｓ量子ドットを形成する、
ことを特徴とする量子ドットの形成方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)