単結晶ダイヤモンドの製造方法、単結晶ダイヤモンド、単結晶ダイヤモンド基板の製造方法、単結晶ダイヤモンド基板及び半導体デバイス

開放特許情報番号
L2020001810
開放特許情報登録日
2020/9/11
最新更新日
2020/9/11

基本情報

出願番号 特願2014-175926
出願日 2014/8/29
出願人 国立大学法人電気通信大学
公開番号 特開2016-050139
公開日 2016/4/11
登録番号 特許第6636239号
特許権者 国立大学法人電気通信大学
発明の名称 単結晶ダイヤモンドの製造方法、単結晶ダイヤモンド、単結晶ダイヤモンド基板の製造方法、単結晶ダイヤモンド基板及び半導体デバイス
技術分野 無機材料、金属材料、化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 単結晶ダイヤモンドの製造方法、並びに、該単結晶ダイヤモンドの製造方法によって得られた単結晶ダイヤモンド、単結晶ダイヤモンド基板の製造方法、単結晶ダイヤモンド基板及び単結晶ダイヤモンド半導体デバイス
目的 熱膨張係数の異なる材料の基板を用いた場合であっても、悪影響を生じることなく、大面積且つ高品質の単結晶ダイヤモンド膜を形成できる、単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供すること、また、該単結晶ダイヤモンドの製造方法によって得られた大面積且つ高品質の単結晶ダイヤモンド、単結晶ダイヤモンド基板の製造方法、単結晶ダイヤモンド基板及びハイパワーデバイスの要求に対応した単結晶ダイヤモンド半導体デバイスを提供する。
効果 熱膨張係数の異なる材料の基板を用いた場合であっても、悪影響を生じることなく、大面積且つ高品質の単結晶ダイヤモンド膜を形成できる、単結晶ダイヤモンドの製造方法、該単結晶ダイヤモンドの製造方法によって得られた大面積且つ高品質の単結晶ダイヤモンド、単結晶ダイヤモンド基板の製造方法、単結晶ダイヤモンド基板、及び、ハイパワーデバイスの要求に対応した半導体デバイスを提供することができる。
技術概要
基板上に複数の原子状Siを分散吸着させ、少なくとも炭素を含有するプラズマ中で前記基板にバイアス電圧を印加することで、前記基板上に、前記原子状Siを発生中心とし配向したダイヤモンド結晶核を形成する工程と、
前記基板上に、前記ダイヤモンド結晶核からなるダイヤモンド結晶核郡パターンを形成する工程と、
前記パターンを形成したダイヤモンド結晶核郡から、ダイヤモンド結晶を選択的に成長及び一体化させることで、単結晶ダイヤモンドを形成する工程と、
を備えることを特徴とする単結晶ダイヤモンドの製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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