太陽電池
- 開放特許情報番号
- L2020001809
- 開放特許情報登録日
- 2020/9/11
- 最新更新日
- 2020/9/11
基本情報
| 出願番号 | 特願2014-175843 |
|---|---|
| 出願日 | 2014/8/29 |
| 出願人 | 国立大学法人電気通信大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2016/4/11 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人電気通信大学 |
| 発明の名称 | 太陽電池 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 太陽電池 |
| 目的 | 効率を改善したヘテロ接合型の太陽電池を提供する。 |
| 効果 | 光電変換効率を改善したヘテロ接合型の太陽電池を提供することができる。 |
技術概要) |
光透過性を有する基板と、
前記基板の光入射面とは反対側の面に形成される導電膜と、 前記導電膜に積層される正孔ブロック層と、 前記正孔ブロック層に積層される、ｐｎヘテロ接合型の光電変換層と、 前記光電変換層に積層される電極と を含み、 前記光電変換層は、 前記正孔ブロック層の光入射側とは反対側の面から前記光電変換層の厚さ方向に沿って伸延する複数のｎ型ロッドと、 前記複数のｎ型ロッドの各々の側面及び先端面を被覆する被覆層と、 前記複数のｎ型ロッド同士の間、及び、前記複数のｎ型ロッドと前記電極との間に形成されるｐ型量子ドット層とを有し、 前記ｎ型ロッドは、ＺｎＯ、Ｉｎ↓２Ｏ↓３、又はＳｎＯ↓２製であり、 前記被覆層は、ＴｉＯ↓２、Ｙ↓２Ｏ↓３、Ａｌ↓２Ｏ↓３、ＺｎＳ、又はＳｉＯ↓２製であり、 前記ｐ型量子ドット層は、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、又はＣｕＩｎＳ↓２製であり、 前記被覆層の厚さは、１０ｎｍ以下である、太陽電池。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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