半導体発光素子およびその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020001797
- 開放特許情報登録日
- 2020/9/9
- 最新更新日
- 2020/9/9
基本情報
| 出願番号 | 特願2013-067937 |
|---|---|
| 出願日 | 2013/3/28 |
| 出願人 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2014/10/6 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 |
| 発明の名称 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 目的 | ｐ型層を除去することなくｎ側電極を形成することにより、プレーナ型の電構造を有する発光素子を提供するとともに、その製造方法を提供する。 |
| 効果 | ｐ型層および発光層を除去することなくｎ側電極を形成させることができることから、プレーナ型の電極構造とすることができ、バンプ等を形成することなくｐ側電極と同じ高さのｎ側電極を設けることができる。従って、フリップチップ型の発光素子とする場合において、実装基板等との接合状態を良好にすることができる。 |
技術概要) |
成長基板上に、ｎ型層、発光層およびｐ型層を成長させる成長工程と、
チャネリング条件下においてｐ型層の表面からｎ型層に到達する範囲にｎ型不純物としてシリコンをイオン注入するチャネリング工程と、 前記チャネリング工程によりｎ型不純物としてシリコンイオンが注入された領域を、アンモニアを含む雰囲気中でアニールすることによりｎ型化するアニール工程と、 前記アニール工程によりｎ型化された領域の表面にｎ側電極を接続するｎ側電極構成工程と を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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