エレクトレット構造及びその形成方法並びにエレクトレット型静電容量センサ

開放特許情報番号
L2020001741
開放特許情報登録日
2020/8/28
最新更新日
2020/8/28

基本情報

出願番号 特願2008-003314
出願日 2008/1/10
出願人 日本放送協会、一般財団法人小林理学研究所、リオン株式会社
公開番号 特開2009-164539
公開日 2009/7/23
登録番号 特許第5240900号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 エレクトレット構造及びその形成方法並びにエレクトレット型静電容量センサ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体を用いて形成されるエレクトレット構造及びその形成方法並びにエレクトレット型静電容量センサ
目的 無機エレクトレット部材の厚さに関わらず、その耐湿性を確実に確保することができるエレクトレット構造及びその形成方法並びにエレクトレット型静電容量センサを提供する。
効果 耐湿性を確実に確保することができるという効果を有するエレクトレット構造及びその形成方法並びにエレクトレット型静電容量センサを提供することができる。
技術概要
凹部が形成された第1の面及び該第1の面とは反対側の第2の面を有するシリコン基板と、前記凹部の底面から前記第1の面の位置までの前記凹部内に埋め込まれた無機エレクトレット部材と、前記第1の面及び前記無機エレクトレット部材の表面を保護する保護膜と、前記第2の面上に形成された電極とを備え、
前記無機エレクトレット部材の表面と前記第1の面とが同一面であることを特徴とするエレクトレット構造。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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