細線導波路付2次元フォトニック結晶の製造方法

開放特許情報番号
L2020001647
開放特許情報登録日
2020/8/19
最新更新日
2020/8/19

基本情報

出願番号 特願2003-409208
出願日 2003/12/8
出願人 国立大学法人京都大学、TDK株式会社
公開番号 特開2005-172932
公開日 2005/6/30
登録番号 特許第3886958号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 細線導波路付2次元フォトニック結晶の製造方法
技術分野 情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 波長分割多重通信等の分野において分合波器等に用いられる2次元フォトニック結晶、特に結晶外部に光を導出又は導入するための細線導波路を接続した細線導波路付2次元フォトニック結晶の製造方法
目的 2次元フォトニック結晶のスラブの方は上下共に空気に接し、一方、2次元フォトニック結晶に接続された細線導波路の下部にはクラッド部材が設けられた、細線導波路付2次元フォトニック結晶の製造方法を提供する。
効果 スラブ層とクラッド層が積層して成る板材を材料とする。この板材には、スラブ層とクラッド層に続いて更に他の層が積層されているものも含まれる。例えば、Siの厚膜上にSiO↓2薄膜を形成し、その上にSi薄膜を形成した、市販のSOI(Silicon On Insulator)基板を用いることができる。
技術概要
スラブ層とクラッド層が積層して成る板材から、導波路を有する2次元フォトニック結晶と該導波路に接続された細線導波路とから成る細線導波路付2次元フォトニック結晶を製造する方法において、
a)スラブ層の所定の範囲に空孔を周期的に設けると共に該所定範囲内に結晶内導波路を形成する2次元フォトニック結晶形成工程、
b)前記空孔を通してエッチング剤を導入することにより、前記所定範囲の下部のクラッド層をエッチングして該クラッド層に空洞を形成するエアブリッジ空洞形成工程、
c)前記所定範囲の外縁から該所定範囲の外側に向けて、前記結晶内導波路の延長上に所定の幅だけスラブ層を残し、その周囲のスラブ層を除去することにより細線導波路を形成する細線導波路形成工程、
の順に行うことを特徴とする細線導波路付2次元フォトニック結晶の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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