出願番号 |
特願2013-185403 |
出願日 |
2013/9/6 |
出願人 |
国立大学法人 宮崎大学、国立大学法人九州工業大学 |
公開番号 |
特開2015-053391 |
公開日 |
2015/3/19 |
登録番号 |
特許第6281835号 |
特許権者 |
国立大学法人 宮崎大学 |
発明の名称 |
太陽電池用化合物半導体ナノ粒子の作製方法 |
技術分野 |
電気・電子、化学・薬品、機械・加工 |
機能 |
材料・素材の製造 |
適用製品 |
太陽電池の光吸収層形成に使用される金属硫化物ナノ粒子の作製方法 |
目的 |
太陽電池の光吸収層を形成する金属材料の硫化物ナノ粒子を、低コストで容易に作製する方法を提供する。 |
効果 |
キサンテートを配位した金属錯体を、不活性雰囲気下で、100℃〜250℃で加熱するだけの簡単な方法で、太陽電池の光吸収層形成を行なうための前駆体となる金属硫化物ナノ粒子を得ることができる。このため、非真空プロセス、かつ、低温で容易に光吸収層を形成することができ、さらには複雑で大規模な製造設備を必要としないため、低コスト化が可能となる。 |
技術概要
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キサンテートを配位した金属錯体から太陽電池の光吸収層形成に使用する金属硫化物ナノ粒子を作製する方法において、
キサンテートを配位した金属錯体単体を、不活性雰囲気下で加熱すること、
を特徴とする金属硫化物ナノ粒子作製方法 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
|
特許権実施許諾 |
【可】
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