化合物半導体ナノ粒子による光吸収層の作製方法
- 開放特許情報番号
- L2020001574
- 開放特許情報登録日
- 2020/8/10
- 最新更新日
- 2023/11/30
基本情報
| 出願番号 | 特願2013-185404 |
|---|---|
| 出願日 | 2013/9/6 |
| 出願人 | 国立大学法人 宮崎大学、国立大学法人九州工業大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2015/3/19 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人 宮崎大学 |
| 発明の名称 | 化合物半導体ナノ粒子による光吸収層の作製方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 化合物半導体を用いた薄膜太陽電池の光吸収層を、低温かつ非真空プロセスで形成する作製方法 |
| 目的 | 太陽電池の光吸収層を非真空プロセスで、かつ、低温で容易に作製する方法を提供する。 |
| 効果 | キサンテートを配位した金属錯体を溶媒に溶かして溶解液とし、不活性ガス雰囲気下で、溶媒の蒸発と加熱焼成を行なうため、非真空プロセス、かつ、低温で容易に光吸収層を形成することができ、このため複雑で大規模な製造設備を必要とせず、低コストでの光吸収層の作製が可能となる。 |
技術概要) |
太陽電池の光吸収層を作製する方法において、
キサンテートを配位した金属錯体を、複数混合して溶媒に溶かして溶解液とする第一工程と、 前記溶解液を電極が形成された基板に塗布する第二工程と、 基板に塗布された前記溶解液の前記溶媒を、不活性ガス雰囲気で７０℃〜９０℃の温度で蒸発させる第三工程と、 前記溶媒を蒸発させた後、不活性ガス雰囲気で１００℃〜３００℃の温度で加熱焼成する第四工程と、 から成ることを特徴とする光吸収層の作製方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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