化合物半導体ナノ粒子による光吸収層の作製方法

開放特許情報番号
L2020001574
開放特許情報登録日
2020/8/10
最新更新日
2020/8/10

基本情報

出願番号 特願2013-185404
出願日 2013/9/6
出願人 国立大学法人 宮崎大学、国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2015-053392
公開日 2015/3/19
登録番号 特許第6209796号
特許権者 国立大学法人 宮崎大学、国立大学法人九州工業大学
発明の名称 化合物半導体ナノ粒子による光吸収層の作製方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 化合物半導体を用いた薄膜太陽電池の光吸収層を、低温かつ非真空プロセスで形成する作製方法
目的 太陽電池の光吸収層を非真空プロセスで、かつ、低温で容易に作製する方法を提供する。
効果 キサンテートを配位した金属錯体を溶媒に溶かして溶解液とし、不活性ガス雰囲気下で、溶媒の蒸発と加熱焼成を行なうため、非真空プロセス、かつ、低温で容易に光吸収層を形成することができ、このため複雑で大規模な製造設備を必要とせず、低コストでの光吸収層の作製が可能となる。
技術概要
太陽電池の光吸収層を作製する方法において、
キサンテートを配位した金属錯体を、複数混合して溶媒に溶かして溶解液とする第一工程と、
前記溶解液を電極が形成された基板に塗布する第二工程と、
基板に塗布された前記溶解液の前記溶媒を、不活性ガス雰囲気で70℃〜90℃の温度で蒸発させる第三工程と、
前記溶媒を蒸発させた後、不活性ガス雰囲気で100℃〜300℃の温度で加熱焼成する第四工程と、
から成ることを特徴とする光吸収層の作製方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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