ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2020001556
開放特許情報登録日
2020/8/10
最新更新日
2020/8/10

基本情報

出願番号 特願2018-194359
出願日 2018/10/15
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2020-064903
公開日 2020/4/23
発明の名称 ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ソース電極とドレイン電極を銅製としたボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
目的 安価な金属でソース電極とドレイン電極を構成し、仕事関数の深化を実現可能なボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
効果 安定な銅化合物半導体を簡便な手法で電極表面に形成して、仕事関数を金(−4.8eV)よりも深くしたボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供できる。
技術概要
有機半導体層の下側に、銅製のソース電極及びドレイン電極が配置されたボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタにおいて、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記有機半導体層との間に、電荷注入層となるチオシアン酸銅の層が形成されていることを特徴とするボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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