希薄窒化物犠牲層を用いた化合物半導体薄膜の製造方法

開放特許情報番号
L2020001453
開放特許情報登録日
2020/7/20
最新更新日
2020/7/20

基本情報

出願番号 特願2017-033467
出願日 2017/2/24
出願人 国立大学法人豊橋技術科学大学
公開番号 特開2018-138501
公開日 2018/9/6
発明の名称 希薄窒化物犠牲層を用いた化合物半導体薄膜の製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 薄膜受光素子、特に薄膜太陽電池素子を実現するための製造方法
目的 GaAsP/GaAsPN系材料を用いた太陽電池素子などの受光素子を安価なポリカーボネート基板上などに貼り付ける手段を提供する。
効果 受光層に結晶欠陥を発生させることなく、犠牲層の膜厚を厚くし、犠牲層をエッチングする際に溶液を充分に浸透させ、犠牲層のエピタキシャルリフトオフを容易に実施でき、簡便かつ安価に大規模用途の太陽電池素子等の受光素子を実現する。
技術概要
半導体基板上に緩衝層を介して、当該半導体基板に格子整合する犠牲層を形成し、当該犠牲層上に当該犠牲層に格子整合する半導体材料からなる受光層を形成する工程を含み、前記犠牲層はN元素を含むIII-V-N混晶からなることを特徴とする積層半導体基板の形成方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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