ダイヤモンド単結晶およびその製造方法

開放特許情報番号
L2020001342
開放特許情報登録日
2020/6/30
最新更新日
2020/6/30

基本情報

出願番号 特願2018-155987
出願日 2018/8/23
出願人 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
公開番号 特開2020-029386
公開日 2020/2/27
発明の名称 ダイヤモンド単結晶およびその製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 窒素−空孔複合欠陥(以下、「NVセンター」とも称する。)を有するダイヤモンド単結晶、および、NVセンターを有するダイヤモンド単結晶の製造方法
目的 トリプルNVセンター以上の多量子ビットとして作用するNVセンターを有するダイヤモンド単結晶を実現する。
効果 ダイヤモンド単結晶中のNVセンターを室温で3量子ビット以上の多量子ビットとして機能させることができるという効果を奏する。
技術概要
少なくとも3つの窒素−空孔複合欠陥を有するダイヤモンド単結晶であって、
前記少なくとも3つの窒素−空孔複合欠陥が、量子絡み合いにより多量子ビットとして機能することを特徴とするダイヤモンド単結晶。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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