| 出願番号 |
特願2018-155987 |
| 出願日 |
2018/8/23 |
| 出願人 |
国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 |
| 公開番号 |
特開2020-029386 |
| 公開日 |
2020/2/27 |
| 登録番号 |
特許第7070904号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 |
| 発明の名称 |
ダイヤモンド単結晶およびその製造方法 |
| 技術分野 |
無機材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
窒素−空孔複合欠陥（以下、「ＮＶセンター」とも称する。）を有するダイヤモンド単結晶、および、ＮＶセンターを有するダイヤモンド単結晶の製造方法 |
| 目的 |
トリプルＮＶセンター以上の多量子ビットとして作用するＮＶセンターを有するダイヤモンド単結晶を実現する。 |
| 効果 |
ダイヤモンド単結晶中のＮＶセンターを室温で３量子ビット以上の多量子ビットとして機能させることができるという効果を奏する。 |
技術概要
 |
少なくとも３つの窒素−空孔複合欠陥を有するダイヤモンド単結晶であって、
前記少なくとも３つの窒素−空孔複合欠陥が、量子絡み合いにより多量子ビットとして機能することを特徴とするダイヤモンド単結晶。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)