光電変換素子の製造方法

開放特許情報番号
L2020001075
開放特許情報登録日
2020/5/28
最新更新日
2020/5/28

基本情報

出願番号 特願2015-211033
出願日 2015/10/27
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2017-084946
公開日 2017/5/18
登録番号 特許第6654856号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 光電変換素子の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 光電変換素子の製造方法
目的 光電変換素子のn型半導体に酸化ガリウムを用いた場合に、低電圧印加時でも良好な可視光感度を得ることができる光電変換素子の製造方法を提供する。
効果 450℃〜500℃で基板加熱しながら酸化ガリウム(Ga↓2O↓3)を成膜することで、室温で成膜した素子と比較し、暗電流を低くできるとともにS/Nを高くすることができ、かつ、0Vまたは0Vに近い低い逆バイアス電圧を印加した場合であっても駆動可能な、可視光用の光電変換素子を得ることができる。
技術概要
基板上に、下部電極層、カルコパイライト型またはスファレライト型のCuIn↓(1−X)Ga↓X(Se↓(1−y)S↓y)↓2からなるp型半導体層、酸化ガリウムからなるn型半導体層、および上部電極層をこの順に積層形成する光電変換素子の製造方法において、
前記n型半導体層を形成する際には、前記基板を450〜500℃に加熱しつつ、前記酸化ガリウムを成膜することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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