目的
光電変換素子のｎ型半導体に酸化ガリウムを用いた場合に、低電圧印加時でも良好な可視光感度を得ることができる光電変換素子の製造方法を提供する。
効果
450℃〜500℃で基板加熱しながら酸化ガリウム（Ｇａ↓２Ｏ↓３）を成膜することで、室温で成膜した素子と比較し、暗電流を低くできるとともにＳ／Ｎを高くすることができ、かつ、０Ｖまたは０Ｖに近い低い逆バイアス電圧を印加した場合であっても駆動可能な、可視光用の光電変換素子を得ることができる。
技術概要
基板上に、下部電極層、カルコパイライト型またはスファレライト型のＣｕＩｎ↓（１−Ｘ）Ｇａ↓Ｘ（Ｓｅ↓（１−ｙ）Ｓ↓ｙ）↓２からなるｐ型半導体層、酸化ガリウムからなるｎ型半導体層、および上部電極層をこの順に積層形成する光電変換素子の製造方法において、
前記ｎ型半導体層を形成する際には、前記基板を450〜500℃に加熱しつつ、前記酸化ガリウムを成膜することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
基本情報
開放特許情報
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