薄膜トランジスタ、TFTアレイ基板、表示装置、及びその製造方法

開放特許情報番号
L2020001008
開放特許情報登録日
2020/5/20
最新更新日
2020/5/20

基本情報

出願番号 特願2015-166107
出願日 2015/8/25
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2017-045806
公開日 2017/3/2
登録番号 特許第6633870号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 薄膜トランジスタ、TFTアレイ基板、表示装置、及びその製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 薄膜トランジスタ、TFTアレイ基板、表示装置、及びその製造方法
目的 半導体薄膜のパターニング(エッチング)工程を必要としない、塗布型半導体材料を用いた薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
効果 低コストおよび低環境負荷で作製することができ、半導体膜がチャネル領域に整合して形成される、塗布型半導体材料を用いた薄膜トランジスタ、及びTFTアレイ基板を実現できる。
技術概要
塗布型半導体材料からなる半導体膜をチャネル領域とする薄膜トランジスタであって、
基板上の第1の方向に延びる一対の壁構造体と、前記一対の壁構造体の間で第1の方向と交差する第2の方向に延びる前記壁構造体よりも高さが低い一対の隔壁とに囲まれた前記塗布型半導体材料からなる半導体膜を備え、
前記チャネル領域が独立した島領域となる、薄膜トランジスタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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