電子輸送層,及び電子輸送層の製造方法

開放特許情報番号
L2020000997
開放特許情報登録日
2020/5/15
最新更新日
2020/5/15

基本情報

出願番号 特願2017-142184
出願日 2017/7/21
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2019-021887
公開日 2019/2/7
発明の名称 電子輸送層,及び電子輸送層の製造方法
技術分野 電気・電子、有機材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 電子輸送性材料の配向性を制御した電子輸送層や,電子輸送層の成膜方法
目的 基板に対して,電子輸送性材料を平行近くに配向でき,しかも透明性が高い電子輸送層や,電子輸送層の成膜方法を提供する。
効果 所定のベンゾイソキノリン誘導体や所定のナフタレンジイミド誘導体を電子輸送性材料として用いることで,基板に対して,電子輸送性材料を平行近くに配向でき,しかも透明性が高い電子輸送層や,電子輸送層の成膜方法を提供できる。
技術概要
式(I)で示されるベンゾイソキノリン誘導体を含む,電子輸送層。
【化21】
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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