SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2020000996
開放特許情報登録日
2020/5/15
最新更新日
2020/5/15

基本情報

出願番号 特願2018-036440
出願日 2018/3/1
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2019-091873
公開日 2019/6/13
発明の名称 SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 炭素珪素(SiC)基板を用いて形成されたSiC接合型電界効果トランジスタ、及び、このSiC JFETで構成されたnチャネルJFET及びpチャネルJFETを備えたSiC相補型接合型電界効果トランジスタ
目的 広い温度範囲において、安定した動作が可能で、かつ、相補型JFETの作製が容易な、SiC接合型電界効果トランジスタを提供する。
効果 高温で安定に動作が可能で、かつ相補型論理回路の作製が容易な、SiC接合型電界効果トランジスタを提供することができる。
技術概要
SiC基板の主面に、互いに離間して形成された第1導電型のソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域の下方に形成された第1導電型の埋込チャネル領域と、
前記SiC基板の主面であって、少なくも前記ソース領域及び前記埋込チャネル領域を含む領域の両側に形成された一対の第2導電型のゲート領域と、
を備え、
前記埋込チャネル領域と、前記ドレイン領域とは、前記一対のゲート領域より下方に形成された第1導電型の埋込不純物領域によって接続されている、SiC接合型電界効果トランジスタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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