ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタ

開放特許情報番号

L2020000996

開放特許情報登録日

2020/5/15

最新更新日

2023/1/20

基本情報

出願番号	特願2018-036440
出願日	2018/3/1
出願人	国立大学法人京都大学
公開番号	特開2019-091873
公開日	2019/6/13
登録番号	特許第7074320号
特許権者	国立大学法人京都大学
発明の名称	ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタ
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	炭素珪素（ＳｉＣ）基板を用いて形成されたＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ、及び、このＳｉＣ　ＪＦＥＴで構成されたｎチャネルＪＦＥＴ及びｐチャネルＪＦＥＴを備えたＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタ
目的	広い温度範囲において、安定した動作が可能で、かつ、相補型ＪＦＥＴの作製が容易な、ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタを提供する。
効果	高温で安定に動作が可能で、かつ相補型論理回路の作製が容易な、ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタを提供することができる。
技術概要	ＳｉＣ基板の主面に、互いに離間して形成された第１導電型のソース領域及びドレイン領域と、 前記ソース領域の下方に形成された第１導電型の埋込チャネル領域と、 前記ＳｉＣ基板の主面であって、少なくも前記ソース領域及び前記埋込チャネル領域を含む領域の両側に形成された一対の第２導電型のゲート領域と、 を備え、 前記埋込チャネル領域と、前記ドレイン領域とは、前記一対のゲート領域より下方に形成された第１導電型の埋込不純物領域によって接続されている、ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

アピール情報

アピール内容	京都大学「産学連携情報プラットフォーム（フィロ）」をご紹介します。 産学連携の新たな取り組みなど、有益な情報を発信しています。 https://philo.saci.kyoto-u.ac.jp/

登録者情報

登録者名称	国立大学法人京都大学

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】