スピントロニクス素子、スピントランジスタ及び磁気抵抗メモリ

開放特許情報番号
L2020000920
開放特許情報登録日
2020/5/8
最新更新日
2020/5/8

基本情報

出願番号 特願2018-126805
出願日 2018/7/3
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2020-009802
公開日 2020/1/16
発明の名称 スピントロニクス素子、スピントランジスタ及び磁気抵抗メモリ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 スピントロニクス素子、スピントランジスタ及び磁気抵抗メモリ
目的 チャネル部の材料として金属材料を用いたスピントロニクス素子を提供する。
効果 チャネル部の材料として金属材料を用いたスピントロニクス素子を提供することができる。
技術概要
スピン流又は電流の少なくとも一方が流れるチャネル部を備えるスピントロニクス素子であって、
前記チャネル部が、スピン軌道相互作用が0.01eV以上である金属材料から成り、
前記チャネル部に電界を印加して前記チャネル部のスピン軌道相互作用の大きさを制御することにより信号のオン・オフを制御するスピントロニクス素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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