固体撮像素子の製造方法

開放特許情報番号
L2020000910
開放特許情報登録日
2020/5/8
最新更新日
2020/5/8

基本情報

出願番号 特願2015-122427
出願日 2015/6/17
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2017-010999
公開日 2017/1/12
登録番号 特許第6619956号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 固体撮像素子の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 固体撮像素子の製造方法
目的 CIGS等のカルコパイライト型半導体や結晶セレン(以下、CIGS膜等と称する)を成膜した際に、このCIGS膜等とn型半導体層の界面の平面性を高めて、暗電流が小さく、感度の高い撮像素子を実現し得る固体撮像素子の製造方法を提供する。
効果 高い温度をかけることが可能なダミー基板上に、十分に高い温度をかけて高品質なCIGS膜等を成膜し、このCIGS膜等の上に本来の信号読出回路基板を接合し、この後ダミー基板を除去しているので、CIGS膜等の成膜処理時の熱によって、基板に付設された信号回路部が損傷を受けるという事態を回避することができる。
技術概要
信号の読出処理を行う信号読出回路部を付設した信号読出回路基板の上方にカルコパイライト型半導体または結晶セレンからなるp型半導体層を成膜する固体撮像素子の製造方法において、
まず、表面平面性を有するダミーのベース体の上面に、前記p型半導体層を成膜し、このp型半導体層の上面に、前記信号読出回路基板の表側の面を接合して接合体を形成し、
次に、前記接合体から前記ベース体を除去し、除去された該ベース体が当接していた該接合体の面上に、少なくとも、n型の半導体層および透明導電膜をこの順に積層して固体撮像素子を作製し、
前記接合体から前記ベース体を除去する工程では、該ベース体の材料をSiとし、該ベース体を厚み方向に削る速度が大きい第1研削段階と、該ベース体を厚み方向に削る速度が小さい第2研削段階とをこの順に行い、この後、XeF↓2を用いたエッチングにより前記ベース体を除去する、ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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