半導体基板及びその製造方法、結晶積層構造体及びその製造方法、並びに半導体デバイス

開放特許情報番号
L2020000829
開放特許情報登録日
2020/4/28
最新更新日
2020/4/28

基本情報

出願番号 特願2018-115608
出願日 2018/6/18
出願人 国立研究開発法人情報通信研究機構
公開番号 特開2019-220536
公開日 2019/12/26
発明の名称 半導体基板及びその製造方法、結晶積層構造体及びその製造方法、並びに半導体デバイス
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 半導体基板及びその製造方法、結晶積層構造体及びその製造方法、並びに半導体デバイス
目的 エピタキシャル膜のその下地部材との界面近傍の領域におけるSiを含む高伝導度層の形成が効果的に抑制された半導体デバイス、その半導体デバイスの製造に用いることができる半導体基板及び結晶積層構造体、並びにその半導体基板及び結晶積層構造体の製造方法を提供する。
効果 エピタキシャル膜のその下地部材との界面近傍の領域におけるSiを含む高伝導度層の形成が効果的に抑制された半導体デバイス、その半導体デバイスの製造に用いることができる半導体基板及び結晶積層構造体、並びにその半導体基板及び結晶積層構造体の製造方法を提供することができる。
技術概要
Siを含まない第1の材料を母材とする基板に、Siと反応するエッチングガスを用いる反応性イオンエッチングを施し、前記エッチングガスに含まれる元素を含むアモルファスキャップ層を前記基板の表面に形成する工程、を含み、
前記反応性イオンエッチングが、上部電極と下部電極との間の全ての装置部品がSiを含まない材料からなる反応性イオンエッチング装置を用いて実施される、
半導体基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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