半導体素子とその製造方法

開放特許情報番号
L2020000811
開放特許情報登録日
2020/4/27
最新更新日
2020/4/28

基本情報

出願番号 特願2016-547105
出願日 2016/1/15
出願人 雫石 誠
公開番号 WO2016/114377
公開日 2016/7/21
登録番号 特許第6251406号
特許権者 雫石 誠
発明の名称 半導体素子とその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 ウエアラブル装置 近赤外光或いはX線を応用した画像診断装置等
目的 半導体素子を様々な応用製品或いは使用環境において利用しやすい素子形態を考案すること。半導体素子の低電圧・低消費電力駆動、或いは耐環境性能を向上させることができる半導体素子構造、或いは半導体基板周辺部、或いは側面部を有効利用する半導体素子を提供すること。赤外光やX線等にも感度を有し、かつ低電圧・低消費電力駆動が可能な半導体撮像素子、或いは温度・湿度・振動等に対する耐環境性能を向上させた半導体撮像素子を実現する。また、人体や臓器などの大きさや形状に対しても柔軟に撮像可能な半導体撮像素子を実現する。
効果 積層半導体素子の側面部を湾曲形状としたので、半導体素子の使用環境或いは実装条件に柔軟に対応できるため、装置の小型・軽量化が可能になる。特に、半導体基板側面部
の表面形状を凸状とすれば、半導体素子を小型撮像装置内に組み込むことが容易になる。また、凹状とすれば、例えば、頭部撮影装置のように被写体を取り囲むように半導体撮像素子を配置することが容易になる。半導体基板側面部を受光窓として入射する光を半導体基板内に形成した光電変換領域において光電変換を行うので、赤外線やX線等に対し高い感度を有する撮像素子が実現する。
技術概要
積層半導体素子の一側面部の形状が平面視座上凸状、又は凹状に湾曲した積層半導体素子、或いはこれらの凸状に湾曲した一側面部を有する複数の積層半導体素子、又は凹状に湾曲した一側面部を有する複数の積層半導体素子の湾曲形状を組み合わせることにより円弧状となるように、凸状に湾曲した一側面部を有する複数の積層半導体素子、又は凹状に湾曲した一側面部を有する複数の積層半導体素子を平面上に配置した積層半導体モジュール、及び上記積層半導体素子の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
対価条件(一時金) 【要】 
希望譲渡先(国内) 【可】 
希望譲渡先(国外) 【可】 
特許権実施許諾 【可】
実施権条件 協議による。
対価条件(一時金) 【要】 
対価条件(ランニング) 【要】 
希望譲渡先(国内) 【可】 
希望譲渡先(国外) 【可】 

登録者情報

登録者名称 雫石 誠

その他の情報

海外登録国 アメリカ合衆国
その他の提供特許
登録番号1 10468383
関連特許
国内 【有】
国外 【有】  中華人民共和国
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