Sn系ペロブスカイト層及び太陽電池の製造方法

開放特許情報番号
L2020000799
開放特許情報登録日
2020/4/27
最新更新日
2020/4/27

基本情報

出願番号 PCT/JP2019/011860
出願日 2019/3/20
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 WO2019/182058
公開日 2019/9/26
発明の名称 Sn系ペロブスカイト層及び太陽電池の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 Sn系ペロブスカイト層及び太陽電池の製造方法
目的 平坦性に優れたスズ系ペロブスカイト化合物を用いたペロブスカイト層の製造方法や,その製造方法により得られたペロブスカイト層を用いたペロブスカイト型太陽電池の製造方法や有機EL素子などの発光素子の製造方法などを提供する。
効果 平坦性に優れたスズ系ペロブスカイト化合物を用いたペロブスカイト層の製造方法や,その製造方法により得られたペロブスカイト層を用いたペロブスカイト型太陽電池の製造方法や有機EL素子などの発光素子の製造方法を提供できる。
技術概要
Sn系ペロブスカイト化合物を含む溶液を基板に塗布する工程と,
前記基板に貧溶媒を塗布する工程と,
前記基板をアニール処理する工程と,をこの順で含む
ペロブスカイト層の製造方法であって,
前記貧溶媒は,45℃以上100℃以下である,方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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