p型又はn型不純物含有シリコンナノ粒子の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法

開放特許情報番号
L2020000751
開放特許情報登録日
2020/4/13
最新更新日
2020/4/13

基本情報

出願番号 特願2019-501392
出願日 2018/2/21
出願人 学校法人東京電機大学
公開番号 WO2018/155519
公開日 2018/8/30
発明の名称 p型又はn型不純物含有シリコンナノ粒子の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
技術分野 化学・薬品、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 p型又はn型不純物含有シリコンナノ粒子の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
目的 大量生産に適した液相法によるトップダウン法を採用しつつ、p型又はn型不純物原子のシリコン内部への効果的なドーピングを実現することのできるp型又はn型不純物含有シリコンナノ粒子の製造方法、並びにそのような製造方法で得られたシリコンナノ粒子を用いた太陽電池素子及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
効果 大量生産に適した液相法によるトップダウン法を採用しつつ、p型又はn型不純物原子のシリコン内部への効果的なドーピングを実現することのできるp型又はn型不純物含有シリコンナノ粒子の製造方法、並びにそのような製造方法で得られたシリコンナノ粒子を用いた太陽電池素子及び半導体デバイスの製造方法が提供される。
技術概要
p型又はn型の不純物を含有するシリコンナノ粒子の製造方法であって、
分散されたシリコン粉末を含む水系溶媒にフッ化水素酸を添加して反応混合物を調製する第一投入工程と、前記第一投入工程を経た前記反応混合物に、シリコン粒子の表面を酸化させる作用を備えた酸化剤を添加する第二投入工程と、前記第二投入工程を経た前記反応混合物に対して、前記反応混合物を混合させるための外力を加えながら前記フッ化水素酸と前記酸化剤との作用により前記シリコン粉末に含まれるシリコン粒子を細粒化させるエッチング工程と、からなる細粒化三工程の前又は後に前記不純物をシリコン粒子の内部へ拡散させる拡散工程を備え
るp型又はn型不純物含有シリコンナノ粒子の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 東京電機大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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