ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2020000737
開放特許情報登録日
2020/4/8
最新更新日
2020/4/8

基本情報

出願番号 特願2018-161761
出願日 2018/8/30
出願人 学校法人早稲田大学
公開番号 特開2020-035917
公開日 2020/3/5
発明の名称 ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ダイヤモンド基板を用いたダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
目的 ノーマリオフの電気特性を有するダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
効果 ダイヤモンド電界効果トランジスタのしきい値電圧がシフトしてノーマリオフの電気特性が得られる。
技術概要
ダイヤモンド基板と、
前記ダイヤモンド基板の上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ダイヤモンド基板の領域に形成された水素化層と、
前記水素化層の上面に接して形成された補助絶縁層と、
前記補助絶縁層の上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層の上に形成され、平面視で前記補助絶縁層に重なって配置されたゲート電極と
を有することを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 本件は、『早稲田大学技術シーズ集(問合NO.2093)』に掲載されている案件です。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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