半導体素子接合構造、半導体素子接合構造の生成方法及び導電性接合剤

開放特許情報番号
L2020000736
開放特許情報登録日
2020/4/8
最新更新日
2020/4/8

基本情報

出願番号 特願2018-163838
出願日 2018/8/31
出願人 学校法人早稲田大学
公開番号 特開2020-035983
公開日 2020/3/5
発明の名称 半導体素子接合構造、半導体素子接合構造の生成方法及び導電性接合剤
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体素子の接合構造
目的 比較的硬度が低く粒径がマイクロサイズの一の金属粒子を半導体素子と被接合体との間に介在させ、面心立方の結晶構造を持つナノサイズの他の金属粒子で固着接合することで、半導体素子と被接合体とを強固に接合すると共に、熱膨張差による熱応力を緩和することができる半導体素子接合構造を提供する。
効果 めっき金属によりマイクロサイズの金属粒子を強固に固着接合することが可能となり、また、マイクロサイズの金属粒子の降伏(塑性変形)により熱応力を吸収することが可能となる。
技術概要
第1の金属の金属粒子を第2の金属で固着接合した半導体素子接合層を有する半導体素子接合構造であって、
前記第1の金属は、前記第2の金属よりも硬度が低く、融点が当該第2の金属と同等以下であり、且つ、粒径がマイクロサイズであり、前記第1の金属の金属粒子は半導体素子と当該半導体素子に接合する被接合体との間に複数介在しており、前記第1の金属の金属粒子は前記第2の金属で固着接合されていることを特徴とする半導体素子接合構造。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 本件は、『早稲田大学技術シーズ集(問合NO.2085)』に掲載されている案件です。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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