| 出願番号 |
特願2016-508805 |
| 出願日 |
2015/3/19 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
WO2015/141794 |
| 公開日 |
2015/9/24 |
| 登録番号 |
特許第6288658号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
垂直磁化膜用下地、垂直磁化膜構造、垂直ＭＴＪ素子及びこれらを用いた垂直磁気記録媒体 |
| 技術分野 |
情報・通信、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
垂直磁化膜用下地と垂直磁化膜構造 |
| 目的 |
立方晶系または正方晶系垂直磁化膜を高品質に成長可能であって耐熱性の高い下地膜を用いた垂直磁化膜構造を提供する。
当該垂直磁化膜構造を用いて形成した垂直磁化膜及び垂直ＭＴＪ素子を提供する。 |
| 効果 |
高い結晶指数面を有するルテニウム（Ｒｕ）やレニウム（Ｒｅ）等の金属層を実現することで、六方最密充填（ｈｃｐ）構造にもかかわらず正方形に近い原子配列が得られることを利用し、立方晶や正方晶系に属する強磁性材料を（００１）面方位に成長可能にし、高い加熱耐性をもつ垂直磁化膜を実現するとともに，それを用いた垂直磁化型垂直ＭＴＪ素子の提供ができる。 |
技術概要
 |
ｈｃｐ構造を有する金属であって、（００１）面方位の立方晶系単結晶基板もしくは（００１）面方位をもって成長した立方晶系配向膜に対して、［０００１］方位が４２°〜５４°の範囲の角度をなすことを特徴とする垂直磁化膜用下地。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【有】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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