垂直磁化膜用下地、垂直磁化膜構造、垂直MTJ素子及びこれらを用いた垂直磁気記録媒体

開放特許情報番号
L2020000734
開放特許情報登録日
2020/4/10
最新更新日
2020/4/10

基本情報

出願番号 特願2016-508805
出願日 2015/3/19
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 WO2015/141794
公開日 2015/9/24
登録番号 特許第6288658号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 垂直磁化膜用下地、垂直磁化膜構造、垂直MTJ素子及びこれらを用いた垂直磁気記録媒体
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 垂直磁化膜用下地と垂直磁化膜構造
目的 立方晶系または正方晶系垂直磁化膜を高品質に成長可能であって耐熱性の高い下地膜を用いた垂直磁化膜構造を提供する。
当該垂直磁化膜構造を用いて形成した垂直磁化膜及び垂直MTJ素子を提供する。
効果 高い結晶指数面を有するルテニウム(Ru)やレニウム(Re)等の金属層を実現することで、六方最密充填(hcp)構造にもかかわらず正方形に近い原子配列が得られることを利用し、立方晶や正方晶系に属する強磁性材料を(001)面方位に成長可能にし、高い加熱耐性をもつ垂直磁化膜を実現するとともに,それを用いた垂直磁化型垂直MTJ素子の提供ができる。
技術概要
hcp構造を有する金属であって、(001)面方位の立方晶系単結晶基板もしくは(001)面方位をもって成長した立方晶系配向膜に対して、[0001]方位が42°〜54°の範囲の角度をなすことを特徴とする垂直磁化膜用下地。
実施実績 【無】   
許諾実績 【有】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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