β−Ga2O3単結晶層の製造方法、β―Ga2O3単結晶層付きサファイア基板、β―Ga2O3自立単結晶及びその製造方法

開放特許情報番号
L2020000733
開放特許情報登録日
2020/4/10
最新更新日
2020/4/10

基本情報

出願番号 特願2016-510445
出願日 2015/3/25
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 WO2015/147101
公開日 2015/10/1
登録番号 特許第6143145号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 β−Ga2O3単結晶層の製造方法、β―Ga2O3単結晶層付きサファイア基板、β―Ga2O3自立単結晶及びその製造方法
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 β−Ga↓2O↓3単結晶層の製造方法、β−Ga↓2O↓3単結晶層付きサファイア基板、β−Ga↓2O↓3自立単結晶及びその製造方法
目的 容易かつ安価なβ−Ga↓2O↓3単結晶層の製造方法、β−Ga↓2O↓3単結晶層付きサファイア基板、β−Ga↓2O↓3自立単結晶及びその製造方法を提供する。併せて、サファイア基板上に結晶成長させられるβ−Ga↓2O↓3結晶の結晶方位制御方法を提供する。
効果 大面積なβ−Ga↓2O↓3エピウェハを安価で製造することができる。更に、高耐圧・低消費電力の高性能な次世代パワー半導体デバイスを作製できる。
厚さが100μm超である構成なので、デバイス作製上必要なピンセット等での取り扱いが可能な自立基板とすることができる。この自立基板は、種々のβ−Ga↓2O↓3デバイスの作製に用いることができる。
技術概要
(0001)面に対してa軸方向に5°以上25°以下の所定の角度で傾斜した傾斜面を備えるサファイア基板を用いて、前記傾斜面上に(−201)配向したβ−Ga↓2O↓3結晶層を形成することを特徴とするβ−Ga↓2O↓3単結晶層の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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