エミッタの製造方法

開放特許情報番号
L2020000717
開放特許情報登録日
2020/4/8
最新更新日
2020/4/8

基本情報

出願番号 特願2017-503461
出願日 2016/2/29
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 WO2016/140177
公開日 2016/9/9
登録番号 特許第6459135号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 エミッタの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法
目的 電子を高効率に安定して放出するエミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法を提供する。
効果 長時間にわたって安定的に電子を放出できる。
技術概要
ナノワイヤを備えたエミッタの製造方法であって、
前記ナノワイヤは、炭化ハフニウム(HfC)単結晶からなり、
少なくとも前記炭化ハフニウム単結晶の電子を放出すべき端部は、酸化ハフニウム(HfO↓2)で被覆されており、
前記ナノワイヤの短手方向の長さは10nm以上60nm以下であり、
前記ナノワイヤの長手方向の長さは5μm以上30μm以下であり、
前記酸化ハフニウムの厚さは、1nm以上5nm以下であり、
前記電子を放出すべき端部の形状は、電界蒸発処理により半球状であり、
前記炭化ハフニウム単結晶からなるナノワイヤを、酸素を含有する雰囲気中で加熱するステップを包含し、
前記加熱するステップにおいて、酸素分圧は5×10↑(−9)Pa以上5×10↑(−8)Pa以下の範囲であり、加熱温度は500℃以上700℃以下の範囲であり、加熱時間は3分以上7分以下の範囲である、方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【有】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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