エミッタの製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020000717
- 開放特許情報登録日
- 2020/4/8
- 最新更新日
- 2020/4/8
基本情報
| 出願番号 | 特願2017-503461 |
|---|---|
| 出願日 | 2016/2/29 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2016/9/9 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 | エミッタの製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法 |
| 目的 | 電子を高効率に安定して放出するエミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法を提供する。 |
| 効果 | 長時間にわたって安定的に電子を放出できる。 |
技術概要) |
ナノワイヤを備えたエミッタの製造方法であって、
前記ナノワイヤは、炭化ハフニウム（ＨｆＣ）単結晶からなり、 少なくとも前記炭化ハフニウム単結晶の電子を放出すべき端部は、酸化ハフニウム（ＨｆＯ↓２）で被覆されており、 前記ナノワイヤの短手方向の長さは１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、 前記ナノワイヤの長手方向の長さは５μｍ以上３０μｍ以下であり、 前記酸化ハフニウムの厚さは、１ｎｍ以上５ｎｍ以下であり、 前記電子を放出すべき端部の形状は、電界蒸発処理により半球状であり、 前記炭化ハフニウム単結晶からなるナノワイヤを、酸素を含有する雰囲気中で加熱するステップを包含し、 前記加熱するステップにおいて、酸素分圧は５×１０↑（−９）Ｐａ以上５×１０↑（−８）Ｐａ以下の範囲であり、加熱温度は５００℃以上７００℃以下の範囲であり、加熱時間は３分以上７分以下の範囲である、方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【有】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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