固体電気化学反応による磁気特性制御構造及び方法並びに可変磁気抵抗型電気素子

開放特許情報番号
L2020000706
開放特許情報登録日
2020/4/3
最新更新日
2020/4/3

基本情報

出願番号 特願2015-178256
出願日 2015/9/10
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2017-054949
公開日 2017/3/16
登録番号 特許第6583818号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 固体電気化学反応による磁気特性制御構造及び方法並びに可変磁気抵抗型電気素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 可変磁気抵抗型電気素子
目的 固体であるイオン伝導体材料から強磁性体材料への正または負の電荷を有するイオン輸送とそれに伴う電子または正孔濃度の変調を用いて電磁気特性を変化させ、TMRを含む磁気抵抗効果の増大によりON/OFF時に高い抵抗比の性能を示す可変磁気抵抗型電気素子を供給する。
効果 強磁性体電極層とイオン供給電極層への電圧印加によって強磁性体電極層にイオンが挿入され、その効果により強磁性体電極層の電磁気特性を制御することが可能である。さらに、この手法を利用した可変磁気抵抗型電気素子を用いれば、イオン挿入により磁気抵抗効果を増大させて、ON/OFF時に高い抵抗比を得ることが可能である。しかも、従来の電子素子との混載が容易な全固体型素子構造であり、耐久性に優れて雰囲気の影響が少ない素子が実現出来るようになる。
技術概要
イオン伝導体層と、
前記イオン伝導体層を挟む強磁性体電極層と、
イオン供給電極層と
を設け、
前記強磁性体電極層と前記イオン供給電極層との間に電圧が印加されると、前記イオン伝導体層内のイオンが前記強磁性体電極層に移動し、
前記イオンの前記強磁性体電極層への移動によって前記強磁性体電極層内に電子及び正孔が生成され、
前記電子及び正孔の生成によって前記強磁性体電極層の磁気特性が変化する、磁気特性制御構造。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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