| 出願番号 |
特願2015-204566 |
| 出願日 |
2015/10/16 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2017-076740 |
| 公開日 |
2017/4/20 |
| 登録番号 |
特許第6548190号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
スターポリマーを含む電荷蓄積材料 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
スターポリマーを含む電荷蓄積材料 |
| 目的 |
電荷蓄積部位がポリマー薄膜内に均一に分散した、欠陥がなくかつメモリサイズや密度が調節可能な電荷蓄積層を再現性良く得ることができる電荷蓄積材料を提供する。電荷蓄積材料を有する有機電界効果トランジスタ、有機電界効果トランジスタを用いた有機不揮発性素子、及び、有機不揮発性素子を含んでなる有機不揮発性メモリを提供する。 |
| 効果 |
ナノフローティングゲート代替材料として、電荷蓄積部位がポリマー薄膜内に均一に分散した電荷蓄積層を再現性良く得ることができる。 |
技術概要
 |
電荷蓄積材料から構成された電荷蓄積層と、この電荷蓄積層によって隔てられたゲート電極および有機半導体層と、ソース電極およびドレイン電極とを有する有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）における電荷蓄積材料であって、
金属フタロシアニン錯体のコア、および、４本又は８本のポリマー鎖のアーム部を有するスターポリマーを含み、
前記コアが電荷蓄積部位であり、この電荷蓄積部位が絶縁体である前記アーム部によって囲まれている、
上記電荷蓄積材料。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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