磁気抵抗素子の製造方法

開放特許情報番号
L2020000699
開放特許情報登録日
2020/4/3
最新更新日
2020/4/3

基本情報

出願番号 特願2015-229532
出願日 2015/11/25
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2017-097935
公開日 2017/6/1
登録番号 特許第6654780号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 磁気抵抗素子の製造方法
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 強磁性薄膜を有する磁気抵抗素子
目的 CPP−GMR素子のMR特性を大きくすることができ、例えば次世代HDD用リードヘッド等に用いるのに好適である。
効果 磁気ハードディスクの読取ヘッド等の実デバイスへ応用するのに必要とされる磁気抵抗特性が良好なホイスラー合金を用いた巨大磁気抵抗素子であり、磁気ヘッド、磁界センサ、スピン電子回路、トンネル磁気抵抗デバイスのような実用デバイスに用いて好適である。
技術概要
シリコン基板上に、第1の非磁性材料を成膜する工程と、
前記第1の非磁性材料を成膜した前記シリコン基板に、下部強磁性材料の層、第1のB2構造の挿入層、第2の非磁性材料の層、第2のB2構造の挿入層及び上部強磁性材料の層をこの順で有する巨大磁気抵抗効果層を成膜する工程であって、前記第1及び第2の挿入層の膜厚が0.15nm以上0.8nm未満であり、
前記巨大磁気抵抗効果層を成膜した前記シリコン基板を200℃以上600℃以下で熱処理する工程と、
を有することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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