目的
高い磁気抵抗比を実現するために必要な強磁性層を(001)に配向させた単結晶磁気抵抗素子を提供する。
効果
大口径のＳｉ基板上に、ＭｇＯ基板上と同様の、配向を有する単結晶素子を有する単結晶磁気抵抗素子を提供できると共に、ホイスラー合金を用いた単結晶巨大磁気抵抗素子を実デバイスへ応用するための量産性と低価格化を実現するのに必要とされる基幹的な単結晶磁気抵抗素子を提供できる。
技術概要
シリコン基板と、
このシリコン基板に積層されたＢ２構造の下地層と、
当該Ｂ２構造の下地層に積層された第１の非磁性層と、
下部強磁性層及び上部強磁性層、並びに当該下部強磁性層と当該上部強磁性層の間に設けられた第２の非磁性層を有する積層体層を少なくとも一つ有する巨大磁気抵抗効果層と、
を備えることを特徴とする磁気抵抗素子。
基本情報
開放特許情報
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