単結晶磁気抵抗素子、その製造方法及びその使用方法

開放特許情報番号
L2020000697
開放特許情報登録日
2020/4/3
最新更新日
2020/9/18

基本情報

出願番号 特願2015-237601
出願日 2015/12/4
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2017-103419
公開日 2017/6/8
登録番号 特許第6754108号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 単結晶磁気抵抗素子、その製造方法及びその使用方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 強磁性薄膜を有する磁気抵抗素子
目的 高い磁気抵抗比を実現するために必要な強磁性層を(001)に配向させた単結晶磁気抵抗素子を提供する。
効果 大口径のSi基板上に、MgO基板上と同様の、配向を有する単結晶素子を有する単結晶磁気抵抗素子を提供できると共に、ホイスラー合金を用いた単結晶巨大磁気抵抗素子を実デバイスへ応用するための量産性と低価格化を実現するのに必要とされる基幹的な単結晶磁気抵抗素子を提供できる。
技術概要
シリコン基板と、
このシリコン基板に積層されたB2構造の下地層と、
当該B2構造の下地層に積層された第1の非磁性層と、
下部強磁性層及び上部強磁性層、並びに当該下部強磁性層と当該上部強磁性層の間に設けられた第2の非磁性層を有する積層体層を少なくとも一つ有する巨大磁気抵抗効果層と、
を備えることを特徴とする磁気抵抗素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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