らせん状キャパシタ−インダクタデバイス

開放特許情報番号
L2020000694
開放特許情報登録日
2020/4/3
最新更新日
2020/4/3

基本情報

出願番号 特願2015-253320
出願日 2015/12/25
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2017-117988
公開日 2017/6/29
登録番号 特許第6664809号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 らせん状キャパシタ−インダクタデバイス
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 デバイスの設計
目的 デバイスにおいて蓄えられた電荷と生成される磁束との間の1対1の対応を示すことができる現実的なデバイスを設計する。
効果 電子デバイスの電磁応答の位相的制御を可能にする。
技術概要
単位キャパシタのらせん状アレイであって、
構成要素としての単位キャパシタは、容量性の素子とらせん状の電荷の流れによって生み出される誘導的性質とによって生成される周波数の上側限界および下側限界の間において、蓄えられた電荷の関数としての出力磁界の線形な増加を示し、
前記上側および下側周波数限界は、バンドパスフィルタとして振る舞い、いくつかのそのようなバンドパスフィルタが存在し、
デバイスが、アレイの長さよりも長い波長および短い波長を有する種々の周波数で共振する、
単位キャパシタのらせん状アレイ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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