強磁性トンネル接合体、これを用いた磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイス並びに強磁性トンネル接合体の製造方法

開放特許情報番号
L2020000690
開放特許情報登録日
2020/4/3
最新更新日
2020/5/28

基本情報

出願番号 特願2017-565561
出願日 2017/1/31
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 WO2017/135251
公開日 2017/8/10
登録番号 特許第6690838号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 強磁性トンネル接合体、これを用いた磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイス並びに強磁性トンネル接合体の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 強磁性トンネル接合体、並びにこれを用いた磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイスへの応用
目的 スピネル構造を有するMgAl↓2O↓4型絶縁体材料を用いたバリア層を用いて従来にはない高いトンネル磁気抵抗(TMR)比を達成する格子整合した強磁性トンネル接合体(MTJ素子)を提供する。
効果 スピネル構造を持つ立方晶の非磁性物質からなる結晶質バリア層と高スピン分極率を有するCo基ホイスラー合金層を組み合わせたMTJ素子を用いることで、高いTMR比を室温で利用できることができる上、格子整合した界面が得られることから、高い印加電圧においても大きな室温TMR比を利用することが可能になる。
技術概要
トンネルバリア層がスピネル構造をもつ立方晶の非磁性物質からなり、トンネルバリア層の上下に隣接する2つの強磁性層の両方がCo↓2FeAlのホイスラー合金からなる強磁性トンネル接合体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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