| 出願番号 |
特願2007-530913 |
| 出願日 |
2006/3/16 |
| 出願人 |
国立大学法人山梨大学、山梨県、株式会社中家製作所 |
| 公開番号 |
WO2007/020729 |
| 公開日 |
2007/2/22 |
| 登録番号 |
特許第5396579号 |
| 特許権者 |
国立大学法人山梨大学、山梨県、株式会社中家製作所 |
| 発明の名称 |
酸化亜鉛薄膜の製造方法及び製造装置 |
| 技術分野 |
金属材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造、機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
低温で酸化亜鉛薄膜の製造方法、および製造装置 |
| 目的 |
プラスチック等のフレキシブルな基材表面に透明性が高く、かつ不純物をドープを必須の要件とせずに高導電率の酸化亜鉛薄膜の形成、及びこの薄膜を用いたディスプレイ等を提供する。 |
| 効果 |
プラスチック等のフレキシブルな基材表面に透明かつ、不純物のドープを必須の要件とせずに透過率が高く、かつ高導電率の酸化亜鉛薄膜を形成することができる。また、複雑な装置を使わず、高速に酸化亜鉛薄膜を形成することができる。 |
技術概要
 |
真空に減圧された成膜室内に配置された基材表面で酸素ラジカルと亜鉛原子とを反応させて酸化亜鉛薄膜を製造する方法において、
少なくとも前記基材の温度を制御し、
酸化亜鉛薄膜の原子配列の規則性を意図的に乱しキャリア発生源とし、前記原子配列の欠陥たる結晶欠陥密度を1×10↑18個/ cm↑3から5×10↑21個/ cm↑3の範囲とすることで、酸化亜鉛薄膜の抵抗率と、可視光領域での光透過率とが所望の範囲となるように成膜することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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