n型半導体材料、p型半導体材料および半導体素子

開放特許情報番号
L2020000613
開放特許情報登録日
2020/3/18
最新更新日
2020/3/18

基本情報

出願番号 特願2016-120459
出願日 2016/6/17
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2017-222549
公開日 2017/12/21
発明の名称 n型半導体材料、p型半導体材料および半導体素子
技術分野 化学・薬品、無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 TiとMgとNとの化合物を含む半導体材料、および、その用途
目的 TiとMgとNとからなり、TiMgN↓2で表される化合物を含むn型半導体材料、p型半導体材料、および、その用途を提供する。
効果 半導体材料を安価に提供できる。L1↓1の結晶構造を有し、各構成元素が層状に配列しているので、原子レベルでの各層の製造・制御が容易であり、現実的に作製可能である。複雑なドーピングをすることなく、単に構成元素を欠損させ、空孔を形成するだけで、伝導型が制御されるので、製造時の複雑な制御を不要とし、これらのpn接合も容易に製造できるので、pn接合を利用した太陽電池や受光センサー等の半導体素子に有利である。
技術概要
TiとMgとNとからなる化合物を含むn型半導体材料であって、
前記化合物は、一般式TiMgN↓2で表され、
前記化合物は、L1↓1の結晶構造を有し、
前記化合物は、前記Nの一部が欠損した窒素空孔を有する、n型半導体材料。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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