Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ２化合物半導体を用いた磁気抵抗素子及びその製造方法、これを用いた磁気記憶装置並びにスピントランジスタ
- 開放特許情報番号
- L2020000611
- 開放特許情報登録日
- 2020/3/18
- 最新更新日
- 2021/1/20
基本情報
| 出願番号 | 特願2018-524175 |
|---|---|
| 出願日 | 2017/6/23 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2017/12/28 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 | Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ２化合物半導体を用いた磁気抵抗素子及びその製造方法、これを用いた磁気記憶装置並びにスピントランジスタ |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ↓２型カルコパイライト型化合物半導体を磁気抵抗素子のスペーサ材料に適用した磁気抵抗素子及びその製造方法 |
| 目的 | カルコパイライト型化合物半導体を中間層として用いることで高いＭＲ比とデバイス応用に適当なＲＡを有する磁気抵抗素子を提供する。 |
| 効果 | 高いＭＲ比とデバイス応用に適当なＲＡを有する磁気抵抗素子が得られる。
高密度の記憶容量を有する垂直磁気記録装置や不揮発ロジックデバイス等に応用可能なスピントランジスタが得られる。 |
技術概要) |
基板上に第１の強磁性層、非磁性層、第２の強磁性層を積層した構造を有する磁気抵抗素子であって、
ホイスラー合金からなる前記第１の強磁性層と、 ホイスラー合金からなる前記第２の強磁性層と、 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ↓２型カルコパイライト型化合物半導体からなる前記非磁性層であって、前記非磁性層の厚さは０.５〜３ｎｍであり、 磁気抵抗（ＭＲ）変化率が４０％以上であり、素子抵抗（ＲＡ）が０．１［Ωμｍ↑２］以上３［Ωμｍ↑２］以下であることを特徴とする磁気抵抗素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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