I−III−VI2化合物半導体を用いた磁気抵抗素子及びその製造方法、これを用いた磁気記憶装置並びにスピントランジスタ

開放特許情報番号
L2020000611
開放特許情報登録日
2020/3/18
最新更新日
2020/3/18

基本情報

出願番号 特願2018-524175
出願日 2017/6/23
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 WO2017/222038
公開日 2017/12/28
発明の名称 I−III−VI2化合物半導体を用いた磁気抵抗素子及びその製造方法、これを用いた磁気記憶装置並びにスピントランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 I−III−VI↓2型カルコパイライト型化合物半導体を磁気抵抗素子のスペーサ材料に適用した磁気抵抗素子及びその製造方法
目的 カルコパイライト型化合物半導体を中間層として用いることで高いMR比とデバイス応用に適当なRAを有する磁気抵抗素子を提供する。
効果 高いMR比とデバイス応用に適当なRAを有する磁気抵抗素子が得られる。
高密度の記憶容量を有する垂直磁気記録装置や不揮発ロジックデバイス等に応用可能なスピントランジスタが得られる。
技術概要
基板上に第1の強磁性層、非磁性層、第2の強磁性層を積層した構造を有する磁気抵抗素子であって、
ホイスラー合金からなる前記第1の強磁性層と、
ホイスラー合金からなる前記第2の強磁性層と、
I−III−VI↓2型カルコパイライト型化合物半導体からなる前記非磁性層であって、前記非磁性層の厚さは0.5〜3nmであり、
磁気抵抗(MR)変化率が40%以上であり、素子抵抗(RA)が0.1[Ωμm↑2]以上3[Ωμm↑2]以下であることを特徴とする磁気抵抗素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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