磁気抵抗素子、当該磁気抵抗素子を用いた磁気ヘッド及び磁気再生装置

開放特許情報番号
L2020000604
開放特許情報登録日
2020/3/18
最新更新日
2020/3/18

基本情報

出願番号 特願2016-151330
出願日 2016/8/1
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2018-022542
公開日 2018/2/8
登録番号 特許第6661096号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 磁気抵抗素子、当該磁気抵抗素子を用いた磁気ヘッド及び磁気再生装置
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 非磁性スペーサ層を用いた磁気抵抗素子
目的 強磁性金属/非磁性金属/強磁性金属の3層構造を持つ薄膜の面直方向磁気抵抗効果(CPPGMR)を利用した素子において、従来構造よりも高い磁気抵抗出力を発現する磁気抵抗素子を提供する。
効果 従来例のような比較的重い元素Rh・Snや磁性元素Niを含まず、電気抵抗率が低くスペーサ層に適した材料として、Mg↓(1−x)Ti↓xO↓y(0.5≦x≦1.0,0.8≦y≦1.2)をスペーサ層に用いることによりAgスペーサ層を用いた場合よりも高い磁気抵抗変化量を得ることができる。
MTOを用いたCPPGMR素子を作製することができ、高い磁気抵抗出力を提供できる。また本発明の磁気抵抗素子を用いた磁気ヘッド及び磁気再生装置に用いて好適である。
技術概要
ホイスラー合金よりなる下部強磁性層と上部強磁性層、及び当該下部強磁性層と上部強磁性層との間に挟まれたスペーサ層とを備える磁気抵抗素子において、前記スペーサ層がMg↓(1−x)Ti↓xO↓y(0.5≦x≦1.0,0.8≦y≦1.2)を含んでなることを特徴とする磁気抵抗素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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