半導体装置

開放特許情報番号
L2020000597
開放特許情報登録日
2020/3/18
最新更新日
2020/3/18

基本情報

出願番号 特願2016-167281
出願日 2016/8/29
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2018-037466
公開日 2018/3/8
発明の名称 半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置
目的 2種類の半導体の接合によるヘテロ界面を有する半導体装置であって、ヘテロ界面における電荷の移動・分離・再結合の制御性を高め、PVRを向上させた半導体装置を提供する。
効果 ソース側、ドレイン側のトランジスタチャネルとなる半導体材料として2種類の有機半導体を用い、それらを接合して形成されるヘテロ界面において、共鳴的なドレイン電流を誘起して動作させるものである。
技術概要
基板と、
前記基板の一方の主面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたp型有機半導体膜およびn型有機半導体膜と、
前記p型有機半導体膜上に形成された第1電極と、
前記n型有機半導体膜上に形成された第2電極と、を備え、
前記p型有機半導体膜の一部と前記n型有機半導体膜の一部とが重なって、平坦なヘテロ界面が形成されており、
前記p型有機半導体膜を構成する分子、前記n型有機半導体膜を構成する分子は、前記基板の一方の主面に対して垂直に配向していることを特徴とする半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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