半導体装置
- 開放特許情報番号
- L2020000597
- 開放特許情報登録日
- 2020/3/18
- 最新更新日
- 2020/12/16
基本情報
| 出願番号 | 特願2016-167281 |
|---|---|
| 出願日 | 2016/8/29 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2018/3/8 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 | 半導体装置 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 半導体装置 |
| 目的 | ２種類の半導体の接合によるヘテロ界面を有する半導体装置であって、ヘテロ界面における電荷の移動・分離・再結合の制御性を高め、ＰＶＲを向上させた半導体装置を提供する。 |
| 効果 | ソース側、ドレイン側のトランジスタチャネルとなる半導体材料として２種類の有機半導体を用い、それらを接合して形成されるヘテロ界面において、共鳴的なドレイン電流を誘起して動作させるものである。 |
技術概要) |
基板と、
前記基板の一方の主面に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成されたｐ型有機半導体膜およびｎ型有機半導体膜と、 前記ｐ型有機半導体膜上に形成された第１電極と、 前記ｎ型有機半導体膜上に形成された第２電極と、を備え、 前記ｐ型有機半導体膜の一部と前記ｎ型有機半導体膜の一部とが重なって、平坦なヘテロ界面が形成されており、 前記ｐ型有機半導体膜を構成する分子、前記ｎ型有機半導体膜を構成する分子は、前記基板の一方の主面に対して垂直に配向していることを特徴とする半導体装置。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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