| 出願番号 |
特願2016-219958 |
| 出願日 |
2016/11/10 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2018-078219 |
| 公開日 |
2018/5/17 |
| 登録番号 |
特許第6865951号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
ｐ型熱電半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子 |
| 技術分野 |
電気・電子、化学・薬品、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ｐ型熱電半導体、その製造方法、及びそれを用いた熱電発電素子に関し、特に熱動作安定性の高いｐ型熱電変半導体、その製造方法、及びそれを用いた熱電発電素子 |
| 目的 |
パワーファクターなどの熱電特性に優れるとともに、高い熱動作安定性を確保した熱電半導体を提供すること、さらにはそのような熱電半導体を利用した熱電発電素子を提供する。 |
| 効果 |
高い熱電性能と高い熱動作安定性を有するｐ型熱電半導体を提供することができる。また、高い熱電性能と高い熱動作安定性を有する熱電発電素子を提供することができる。 |
技術概要
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硫化物を含む四元系のｐ型熱電半導体であって、
該熱電半導体の組成が以下に示す組成を有することを特徴とするｐ型熱電半導体。
ＣｕＣｒ↓（２−ｘ）Ｓｂ↓ｘＳ↓４
（ここで、ｘは０．２以上０．５以下） |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)