p型熱電半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子

開放特許情報番号
L2020000583
開放特許情報登録日
2020/3/16
最新更新日
2020/3/16

基本情報

出願番号 特願2016-219958
出願日 2016/11/10
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2018-078219
公開日 2018/5/17
発明の名称 p型熱電半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子
技術分野 電気・電子、化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 p型熱電半導体、その製造方法、及びそれを用いた熱電発電素子に関し、特に熱動作安定性の高いp型熱電変半導体、その製造方法、及びそれを用いた熱電発電素子
目的 パワーファクターなどの熱電特性に優れるとともに、高い熱動作安定性を確保した熱電半導体を提供すること、さらにはそのような熱電半導体を利用した熱電発電素子を提供する。
効果 高い熱電性能と高い熱動作安定性を有するp型熱電半導体を提供することができる。また、高い熱電性能と高い熱動作安定性を有する熱電発電素子を提供することができる。
技術概要
硫化物を含む四元系のp型熱電半導体であって、
該熱電半導体の組成が以下に示す組成を有することを特徴とするp型熱電半導体。
CuCr↓(2−x)Sb↓xS↓4
(ここで、xは0.2以上0.5以下)
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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