| 出願番号 |
特願2016-220840 |
| 出願日 |
2016/11/11 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2018-078254 |
| 公開日 |
2018/5/17 |
| 登録番号 |
特許第6783463号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
ダイヤモンド半導体装置、それを用いたロジック装置、及びダイヤモンド半導体装置の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
ダイヤモンド半導体装置、それを用いたロジック装置、及びダイヤモンド半導体装置の製造方法 |
| 目的 |
Ｅ−ｍｏｄｅＭＯＳトランジスタとＤ−ｍｏｄｅＭＯＳトランジスタが混在して動作をするダイヤモンド半導体装置及びその製造方法を提供することである。また、ダイヤモンド半導体によるＮＯＴやＮＯＲのロジック動作をするロジック装置を提供する。 |
| 効果 |
１つのダイヤモンド半導体装置の中で、Ｅ−ｍｏｄｅ動作とＤ−ｍｏｄｅ動作をするＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供することが可能になる。また、ダイヤモンド半導体によるＮＯＴやＮＯＲのロジック動作をするロジック装置を提供することが可能になる。 |
技術概要
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ダイヤモンド基板上に水素終端ダイヤモンド半導体層、第１のゲート絶縁膜層及びゲートメタル層がこの順に積層された構造を有する第１のＭＯＳトランジスタと、該水素終端ダイヤモンド半導体層上に第２のゲート絶縁膜層及びゲートメタル層を有する第２のＭＯＳトランジスタを有するダイヤモンド半導体装置において、
前記第１の絶縁膜は、下層を原子層成長法によって形成された絶縁膜、上層をスパッタリング法によって形成された絶縁膜又は原子層成長法によって形成されたＴｉＯ↓２膜とする２層の絶縁膜であり、
前記第２の絶縁膜は、原子層成長法によって形成された単層の絶縁膜、
とすることを特徴としたダイヤモンド半導体装置。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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