ダイヤモンド半導体装置、それを用いたロジック装置、及びダイヤモンド半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2020000582
開放特許情報登録日
2020/3/16
最新更新日
2020/3/16

基本情報

出願番号 特願2016-220840
出願日 2016/11/11
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2018-078254
公開日 2018/5/17
発明の名称 ダイヤモンド半導体装置、それを用いたロジック装置、及びダイヤモンド半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ダイヤモンド半導体装置、それを用いたロジック装置、及びダイヤモンド半導体装置の製造方法
目的 E−modeMOSトランジスタとD−modeMOSトランジスタが混在して動作をするダイヤモンド半導体装置及びその製造方法を提供することである。また、ダイヤモンド半導体によるNOTやNORのロジック動作をするロジック装置を提供する。
効果 1つのダイヤモンド半導体装置の中で、E−mode動作とD−mode動作をするMOSトランジスタ及びその製造方法を提供することが可能になる。また、ダイヤモンド半導体によるNOTやNORのロジック動作をするロジック装置を提供することが可能になる。
技術概要
ダイヤモンド基板上に水素終端ダイヤモンド半導体層、第1のゲート絶縁膜層及びゲートメタル層がこの順に積層された構造を有する第1のMOSトランジスタと、該水素終端ダイヤモンド半導体層上に第2のゲート絶縁膜層及びゲートメタル層を有する第2のMOSトランジスタを有するダイヤモンド半導体装置において、
前記第1の絶縁膜は、下層を原子層成長法によって形成された絶縁膜、上層をスパッタリング法によって形成された絶縁膜又は原子層成長法によって形成されたTiO↓2膜とする2層の絶縁膜であり、
前記第2の絶縁膜は、原子層成長法によって形成された単層の絶縁膜、
とすることを特徴としたダイヤモンド半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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