目的
ゲート容量Ｃｏｘの大きなＭＩＳ型半導体装置を提供すること、およびそのＭＩＳ型半導体装置の製造方法を提供する。
効果
従来のＨｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜に見られる半導体界面に発生する所望ではない酸化層の生成が防止され、界面準位発生の基となるゲート絶縁膜の水素の透過率が低く、誘電率の高いＨｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜を有するＭＩＳ型半導体装置およびそのＭＩＳ型半導体装置の製造方法が提供される。このことにより、提供されるＭＩＳ型半導体装置は、電気特性が安定し、ゲート容量Ｃｏｘの大きなＭＩＳ型半導体装置となる。
技術概要
半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたＭＩＳ型半導体装置であって、
前記絶縁体層はセリウムフッ化物を含む、ＭＩＳ型半導体装置。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
