磁場変化に対する熱応答測定装置および測定方法

開放特許情報番号
L2020000540
開放特許情報登録日
2020/3/11
最新更新日
2020/3/11

基本情報

出願番号 特願2017-086061
出願日 2017/4/25
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2018-185186
公開日 2018/11/22
発明の名称 磁場変化に対する熱応答測定装置および測定方法
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 磁場変化に対する熱応答測定装置
目的 磁場・周波数応答性特性の系統的評価の効率を向上させた磁場変化に対する熱応答測定装置および測定方法を提供する。
効果 測定対象物に印加する磁場を周期的に変動させる動的な測定を行なうことで、磁場・周波数応答性特性に対する系統的な測定を迅速に行うことができ、磁場・周波数応答性特性の系統的評価の効率を向上させることができる。
技術概要
測定対象物に印加する磁場を変化させて、当該磁場の変化により当該測定対象物に生ずる温度変化を測定して、当該測定対象物の磁場変化に対する熱応答を測定する方法であって
前記測定対象物に印加する磁場を周期的に変動させる印加磁場制御信号を供給し、
前記測定対象物を赤外線カメラで撮像して前記測定対象物表面の複数の赤外線熱画像データを取得し、
該得られた複数の赤外線熱画像データから前記測定対象物表面の温度分布の時間変化を検出し、
前記印加磁場制御信号から、前記測定対象物に印加される磁場の変化(ΔH)に応答して発生した前記測定対象物表面の温度分布の変化(ΔT)を求め、前記測定対象物の磁場変化に対する熱応答を演算する
ことを特徴とする磁場変化に対する熱応答測定方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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