MIS型半導体装置およびその製造方法

開放特許情報番号
L2020000539
開放特許情報登録日
2020/3/11
最新更新日
2020/3/11

基本情報

出願番号 特願2017-093745
出願日 2017/5/10
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2018-190876
公開日 2018/11/29
発明の名称 MIS型半導体装置およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 MIS型半導体装置およびその製造方法
目的 ゲート容量Coxが大きく、高電界用途に適応するMIS型半導体装置を提供すること、およびそのMIS型半導体装置の製造方法を提供する。GaN半導体と絶縁膜との界面に中間層を形成することなく、かつ高誘電率絶縁膜を有するMIS型半導体装置およびその製造方法を提供する。
効果 3.4eVという広いバンドギャップ、高い飽和電子速度および高い絶縁破壊電界強度を有するGaNを用いた半導体装置において、半導体層と絶縁体層との界面に酸化層や相互拡散層などの中間層を形成することなく高い誘電率をもったHigh−k膜を形成することができる。このため、提供されるMIS型半導体装置は、ヒステリシスが少なく、電気特性が安定し、ゲート容量Coxの大きく、高電界が印加される状況においても良好な動作をするMIS型半導体装置となる。
技術概要
半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、
前記半導体層はGaN、ZnS、β−Ga↓2O↓3、C、AlNの群から選ばれる少なくとも1以上の半導体を含み、
前記絶縁体層はランタンフッ化物を含む、MIS型半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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