面直磁化強磁性半導体ヘテロ接合素子、およびこれを用いた磁気記憶装置並びにスピンロジック素子

開放特許情報番号
L2020000537
開放特許情報登録日
2020/3/11
最新更新日
2020/3/11

基本情報

出願番号 特願2018-075180
出願日 2018/4/10
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2018-190966
公開日 2018/11/29
発明の名称 面直磁化強磁性半導体ヘテロ接合素子、およびこれを用いた磁気記憶装置並びにスピンロジック素子
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 ZnSe、ZnS、又はI−III−VI2型カルコパイライト型化合物半導体を用いた垂直磁化膜磁気ヘテロ接合素子
目的 強磁性層と非磁性層との界面で純良な界面が得られると共に高い垂直磁気異方性エネルギーを有する磁気ヘテロ接合素子を提供する。
効果 非磁性層がZnSe、ZnS、I−III−VI2型カルコパイライト型化合物半導体からなる群から選択される化合物からなるため、酸素を含有せず、強磁性層の磁性材料は非磁性層による酸化が防止される。強磁性層と非磁性層との界面で、純良な界面が得られると共に高い垂直磁気異方性エネルギーを有する磁気ヘテロ接合素子が得られる。高密度の記憶容量を有する垂直磁気記録装置や不揮発ロジックデバイス等に応用可能なスピンロジック素子が得られる。
技術概要
基板と、この基板に隣接して設けられるか、又は下地層を挟んで設けられる強磁性層と、この強磁性層に隣接して設けられる非磁性層を有すると共に、当該強磁性層と非磁性層は[001]配向で積層した構造を有する磁気ヘテロ接合素子であって、
鉄を含有する強磁性材料からなる前記強磁性層と、
ZnSe、ZnS、I−III−VI2型カルコパイライト型化合物半導体からなる群から選択される化合物からなる前記非磁性層とを備え、
前記強磁性層と前記非磁性層との接合界面における界面結晶磁気異方性定数(Ks)が0.78mJ/m↑2を超えると共に、前記強磁性層が垂直磁化層であることを特徴とする磁気ヘテロ接合素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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