強磁性トンネル接合体、それを用いたスピントロニクスデバイス、及び強磁性トンネル接合体の製造方法

開放特許情報番号
L2020000535
開放特許情報登録日
2020/3/11
最新更新日
2020/3/11

基本情報

出願番号 特願2019-525389
出願日 2018/6/8
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 WO2018/230466
公開日 2018/12/20
発明の名称 強磁性トンネル接合体、それを用いたスピントロニクスデバイス、及び強磁性トンネル接合体の製造方法
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 強磁性トンネル接合体、それを用いたスピントロニクスデバイス(磁気抵抗効果素子及び磁気記憶装置)、及び強磁性トンネル接合体の製造方法
目的 従来の単結晶下地を用いずに、CoFeB層とMgAl↓2O↓4バリア層を有するMTJ素子を実現することによって、高いTMR比を達成する。また、TMR比のバイアス電圧依存性を抑制する。
効果 ハードディスク用磁気ヘッドやスピントルク書換え型MRAM(STT−MRAM)に応用できるほか、3端子型MRAM、電圧駆動型MRAM、スピントルク発振素子、スピン共鳴トンネル素子など多くのスピントロニクスデバイスに利用することができる。
技術概要
第1磁性層と第2磁性層との間に設けられたトンネルバリア層を有する強磁性トンネル接合体であって、
前記トンネルバリア層は第1絶縁層と第2絶縁層の積層構造からなる配向した結晶体であって、
前記第1絶縁層はMg↓(1−x)X↓x(0≦x≦0.15)の酸化物からなり、XはAl、Tiの群から選ばれた少なくとも1つ以上の元素から構成され、
前記第2絶縁層はMg、Al、Zn、Liの群から選ばれた少なくとも2つ以上の元素から構成される合金の酸化物からなり、
前記第1磁性層と前記第2磁性層がいずれも、CoとFeの群から選ばれた少なくとも1つ以上の元素とBから構成される合金からなる強磁性トンネル接合体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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