強磁性トンネル接合体、それを用いたスピントロニクスデバイス、及び強磁性トンネル接合体の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020000535
- 開放特許情報登録日
- 2020/3/11
- 最新更新日
- 2021/4/20
基本情報
| 出願番号 | 特願2019-525389 |
|---|---|
| 出願日 | 2018/6/8 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2018/12/20 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 | 強磁性トンネル接合体、それを用いたスピントロニクスデバイス、及び強磁性トンネル接合体の製造方法 |
| 技術分野 | 情報・通信、電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 強磁性トンネル接合体、それを用いたスピントロニクスデバイス（磁気抵抗効果素子及び磁気記憶装置）、及び強磁性トンネル接合体の製造方法 |
| 目的 | 従来の単結晶下地を用いずに、ＣｏＦｅＢ層とＭｇＡｌ↓２Ｏ↓４バリア層を有するＭＴＪ素子を実現することによって、高いＴＭＲ比を達成する。また、ＴＭＲ比のバイアス電圧依存性を抑制する。 |
| 効果 | ハードディスク用磁気ヘッドやスピントルク書換え型ＭＲＡＭ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）に応用できるほか、３端子型ＭＲＡＭ、電圧駆動型ＭＲＡＭ、スピントルク発振素子、スピン共鳴トンネル素子など多くのスピントロニクスデバイスに利用することができる。 |
技術概要) |
第１磁性層と第２磁性層との間に設けられたトンネルバリア層を有する強磁性トンネル接合体であって、
前記トンネルバリア層は第１絶縁層と第２絶縁層の積層構造からなる配向した結晶体であって、 前記第１絶縁層はＭｇ↓（１−ｘ）Ｘ↓ｘ（０≦ｘ≦０．１５）の酸化物からなり、ＸはＡｌ、Ｔｉの群から選ばれた少なくとも１つ以上の元素から構成され、 前記第２絶縁層はＭｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｌｉの群から選ばれた少なくとも２つ以上の元素から構成される合金の酸化物からなり、 前記第１磁性層と前記第２磁性層がいずれも、ＣｏとＦｅの群から選ばれた少なくとも１つ以上の元素とＢから構成される合金からなる強磁性トンネル接合体。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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