ガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置、撮像素子およびそれらの製造方法

開放特許情報番号
L2020000526
開放特許情報登録日
2020/3/10
最新更新日
2020/3/10

基本情報

出願番号 特願2018-120352
出願日 2018/6/26
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2019-012826
公開日 2019/1/24
発明の名称 ガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置、撮像素子およびそれらの製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 ガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置、撮像素子およびそれらの製造方法
目的 素子間リーク電流や素子間寄生抵抗、容量の問題の少ない半導体装置を製造するのに好適で結晶欠陥の少ない高品質なガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置およびそれらの製造方法を提供する。
効果 素子間リーク電流や素子関係抵抗の問題の少ない半導体装置を製造するのに好適で結晶欠陥の少ない高品質なガリウム窒化物半導体基板が提供される。素子間リーク電流、素子間クロストークの少ない高集積パワー半導体装置が提供される。紫外光に対して高い感度を有する裏面照射型の撮像素子が提供される。ガリウム窒化物半導体基板および半導体装置の製造方法が提供される。
技術概要
第1のGaN(窒化ガリウム)の単結晶上に、ガリウム酸化物結晶の膜および第2のGaNが順次積層された、ガリウム窒化物半導体基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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