α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子

開放特許情報番号
L2020000514
開放特許情報登録日
2020/3/10
最新更新日
2020/3/10

基本情報

出願番号 特願2018-192199
出願日 2015/2/25
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2019-048766
公開日 2019/3/28
登録番号 特許第6618216号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 α−Ga↓2O↓3単結晶、α−Ga↓2O↓3の製造方法、および、それを用いた半導体素子
目的 半導体素子に適用可能なα−Ga↓2O↓3単結晶、α−Ga↓2O↓3の製造方法、および、それを用いた半導体素子を提供する。
効果 カーボン濃度が6×10↑(17)cm↑(−3)未満に制御されているので、不純物濃度がきわめて低く、α−Ga↓2O↓3本来の特性を発揮できる。ハライド気相成長法を用いることにより不純物濃度の低いα−Ga↓2O↓3が得られる。さらに、その成長速度は極めて速いので、厚膜あるいは基板を得ることもできる。
技術概要
カーボン濃度は、6×10↑(17)cm↑(−3)未満であり、アルミニウム濃度は、4×10↑(16)cm↑(−3)以下である、α−Ga↓2O↓3単結晶。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2020 INPIT