出願番号 |
特願2018-192199 |
出願日 |
2015/2/25 |
出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
公開番号 |
特開2019-048766 |
公開日 |
2019/3/28 |
登録番号 |
特許第6618216号 |
特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
発明の名称 |
α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
技術分野 |
無機材料、金属材料、電気・電子 |
機能 |
材料・素材の製造 |
適用製品 |
α−Ga↓2O↓3単結晶、α−Ga↓2O↓3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
目的 |
半導体素子に適用可能なα−Ga↓2O↓3単結晶、α−Ga↓2O↓3の製造方法、および、それを用いた半導体素子を提供する。 |
効果 |
カーボン濃度が6×10↑(17)cm↑(−3)未満に制御されているので、不純物濃度がきわめて低く、α−Ga↓2O↓3本来の特性を発揮できる。ハライド気相成長法を用いることにより不純物濃度の低いα−Ga↓2O↓3が得られる。さらに、その成長速度は極めて速いので、厚膜あるいは基板を得ることもできる。 |
技術概要
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カーボン濃度は、6×10↑(17)cm↑(−3)未満であり、アルミニウム濃度は、4×10↑(16)cm↑(−3)以下である、α−Ga↓2O↓3単結晶。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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