| 出願番号 |
特願2018-138093 |
| 出願日 |
2018/7/24 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2019-125771 |
| 公開日 |
2019/7/25 |
| 登録番号 |
特許第7101980号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ダイヤモンド半導体を用いたＭＩＳ型半導体装置、およびその製造方法 |
| 目的 |
キャリア散乱を抑制して、高い移動度をもつダイヤモンド半導体によるＭＩＳ型半導体装置、およびその製造方法を提供する。 |
| 効果 |
ゲート絶縁体層内、およびゲート絶縁体層とダイヤモンド半導体層の界面のトラップに捕獲された電荷によるキャリア散乱が抑制され、高い移動度をもつダイヤモンド半導体によるＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法を提供することが可能になる。 |
技術概要
 |
半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたＭＩＳ型半導体装置であって、
前記半導体層はダイヤモンドからなる半導体を含み、
前記絶縁体層は窒化ホウ素を含む、ＭＩＳ型半導体装置。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)