立方晶系または六方晶系窒化ホウ素を製造する方法

開放特許情報番号
L2020000483
開放特許情報登録日
2020/3/4
最新更新日
2020/3/4

基本情報

出願番号 特願2018-016071
出願日 2018/2/1
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2019-131442
公開日 2019/8/8
発明の名称 立方晶系または六方晶系窒化ホウ素を製造する方法
技術分野 化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 立方晶系または六方晶系窒化ホウ素を製造する方法
目的 立方晶系窒化ホウ素(cBN)および六方晶系窒化ホウ素(hBN)の単結晶粉末を安価に製造する方法を提供する。cBNとhBNとの作り分けを可能とし、ホウ素同位体の存在比が制御されたcBNおよびhBNの単結晶粉末を安価に製造する方法を提供する。
効果 第1族元素の水素化ホウ化物の粉末と、ハロゲン化アンモニウムの粉末とを含有する原料粉末を用いるが、いずれも、入手が容易かつ安価であるため、製造コストを低減できる。さらに、原料粉末において、第1族元素の水素化ホウ化物が、ハロゲン化アンモニウムに対してモル比で1よりも多くなるよう含有されることにより、窒化ホウ素からなる比較的大きなサイズの単結晶の粉末を高純度で製造できる。
技術概要
窒化ホウ素の単結晶粉末を製造する方法であって、
前記窒化ホウ素は、立方晶系窒化ホウ素(cBN)または六方晶系窒化ホウ素(hBN)であり、
第1族元素の水素化ホウ化物の粉末と、ハロゲン化アンモニウムの粉末とを含有する原料粉末を反応させるステップを包含し、
前記原料粉末において、前記第1族元素の水素化ホウ化物が、前記ハロゲン化アンモニウムに対してモル比で1よりも多くなるよう含有され、
前記原料粉末を、1000℃以上2500℃以下の温度範囲で、3GPa以上10GPa以下の圧力下で反応させる、方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2020 INPIT