半導体装置、半導体装置の製造方法、赤外線光電変換素子、赤外線検出素子、および赤外線発光素子

開放特許情報番号
L2020000475
開放特許情報登録日
2020/3/4
最新更新日
2020/3/4

基本情報

出願番号 特願2018-037337
出願日 2018/3/2
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2019-153672
公開日 2019/9/12
発明の名称 半導体装置、半導体装置の製造方法、赤外線光電変換素子、赤外線検出素子、および赤外線発光素子
技術分野 電気・電子、金属材料、情報・通信
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 半導体装置、半導体装置の製造方法、赤外線光電変換素子、赤外線検出素子、および赤外線発光素子
目的 受光素子においては検出感度とノイズ(暗電流)の比が高い素子、発光素子においては発光出力の高い素子を提供する。
電気特性が安定していて、素子間のばらつきが少ない赤外検出素子、赤外発光素子を提供する。
効果 S/N比に優れ、電気特性が安定したGaAs半導体ベースの両面電極型半導体装置を合金層の形成無しに提供することが可能になる。また、S/N比に優れ、電気特性が安定したGaAs半導体ベースの両面電極型半導体装置の製造方法を提供することが可能になる。
技術概要
GaおよびAsを含む単結晶の半導体層の第1主表面に金属を含む第1の電極が第1の界面層を介して形成され、かつ前記半導体層の第2主表面に金属を含む第2の電極が第2の界面層を介して形成された半導体装置であって、
前記第1の界面層および前記第2の界面層はN型の半導体層であって、GaとAsを含む単結晶であり、
前記第1の界面層または前記第2の界面層と接する前記半導体層の少なくとも一方の境界部はGaAs単結晶と同じ結晶格子を有し、
前記第1の界面層と前記第1の電極、および前記第2の界面層と前記第2の電極は、オーミックコンタクトをなし、
前記第1の界面層と前記第1の電極との界面に形成される前記第1の電極を構成する金属の拡散層の厚さ、および前記第2の界面層と前記第2の電極との界面に形成される前記第2の電極を構成する金属の拡散層の厚さは、ともに3nm以下である、半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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