半導体装置、半導体装置の使用方法およびその半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2020000458
開放特許情報登録日
2020/3/2
最新更新日
2020/3/2

基本情報

出願番号 特願2018-129126
出願日 2018/7/6
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2020-009884
公開日 2020/1/16
発明の名称 半導体装置、半導体装置の使用方法およびその半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置、半導体装置の使用方法およびその半導体装置の製造方法
目的 準位が少なく、高い絶縁耐圧と高い誘電率を両立させたゲート酸化膜を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
効果 パワーデバイスあるいは高周波デバイスとして良好な電気特性を有する半導体装置、その使用方法およびその製造方法が提供される。
技術概要
2.2eV以上のバンドギャップを有する半導体層と、
ゲート電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極との間に設けられた絶縁体層と
を備えた半導体装置であって、
前記絶縁体層は、前記半導体層に隣接する部分において、ハフニウム、シリコンおよび酸素を含むアモルファスの第1の絶縁膜を少なくとも有し、前記ハフニウムの含有量は前記シリコンと前記ハフニウムの和の含有量に対して50原子%以上90原子%以下である、半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2020 INPIT